МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ (memory circuit). Микросхема, реализующая функцию памяти произвольного доступа. В М. п. используются два основных типа памяти: статическая (SRAM - Static RAM) и динамическая (DRAM - Dynamic RAM). Ячейки статической памяти построены на различных вариантах триггеров - схем с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом состоянии сколь угодно долго - необходимо только наличие питания. Ячейки статической памяти имеют Iмалое время срабатывания (единицы - десятки наносекунд), однако микросхемы на их основе имеют низкую удельную плотность данных и высокое энергопотребление. Поэтому статическая память используется в основном в качестве кэш-памяти. В динамической памяти ячейки построены на основе областей с накоплением зарядов, занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении. При записи бита в такую ячейку в ней формируется электрический заряд, который сохраняется в течение нескольких миллисекунд. Для постоянного сохранения заряда ячейки необходимо регенерировать - перезаписывать o содержимое для восстановления зарядов. По сравнению со статической памятью ячейки динамической памяти имеют большее время срабатывания (десятки-сотни наносекунд), но большую удельную плотность и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется в качестве основной. В настоящее время применяются следующие М. п.: FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM - динамическая память с быстрым страничным доступом). Позволяет ускорить страничный обмен и снизить накладные расходы на регенерацию памяти. М. п. EDO (Extended Data Out - расширенное время удержания данных на выходе) работают в режиме простого конвейера: удерживают на выходах данных содержимое последней выбранной ячейки, в то время как на их входы уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет примерно на 15% по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных массивов данных. BEDO (Burst EDO - EDO с блочным доступом) - память на основе EDO, работающая не одиночными, а пакетными циклами чтения-записи. Существуют также синхронные виды памяти, получающие внешний синхросигнал, к импульсам которого жестко привязаны моменты подачи адресов и обмена данными. Они позволяют более полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный доступ. SDRAM (Synchronous DRAM - синхронная динамическая память) - память с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной (FPM/EDO/BEDO). VRAM (Video RAM) - микросхемы динамического типа с произвольной выборкой, используемые в видеоадаптерах. Основное требование к памяти типа VRAM - высокое быстродействие. Микросхемы памяти имеют четыре основные характеристики: тип, объем, структуру и время доступа. Тип обозначает статическую или динамическую память, объем показывает общую емкость микросхемы, а структура - количество ячеек памяти и разрядность каждой ячейки